集成电路布图设计条例 10·15 大修施行:独创性声明入法、2 年登记时限、5 倍惩罚性赔偿,6 个变化讲清

芯片的施工图纸换了一套新保护规则。《集成电路布图设计保护条例》2001年以国务院令第300号公布,2026年7月10日经国务院第91次常务会议修订通过,7月23日以国务院令第842号公布,自2026年10月15日起施行,共6章54条。配套的国家知识产权局令第86号《实施细则》9月30日公布、10月30日起施行,共7章56条;同日发布第694号过渡办法与第695号审查指南公告。

变化一,保护范围扩到光子与量子芯片。条例第三条在界定集成电路与布图设计之后明确,对集成光子、量子等功能的集成电路的布图设计,可以依照本条例予以保护,这是本次的扩容。同时新增第九条:申请登记和行使专有权都应当遵循诚实信用原则,不得滥用权利损害国家利益、社会公共利益或者他人合法权益,构成垄断行为的依照反垄断法处理。

变化二,独创性声明正式入法。第二十二条把独创性声明列为登记必备材料,已投入商业利用的还须提交含该布图设计的集成电路样品;第二十三条要求复制件或图样清楚显示具有独创性的部分;第二十四条明确声明应指明设计区域、设计要点及相应功能,整体独创的应具体说明。细则第十至十三条补充:独创性部分应当包括可以实现独立功能的区域。

变化三,登记时限与确权程序收紧。第二十六条保留在世界任何地方首次商业利用之日起2年内必须提出申请,逾期不再登记,且该期限不适用权利恢复。第二十七条明确不符规定的应驳回;第二十九条不服驳回的3个月内请求复审,对复审决定不服可向法院起诉;第三十条登记后任何人发现不符合规定都可请求撤销,被撤销的专有权视为自始不存在。

变化四,保护期仍是两个数字。第十七条规定保护期为10年,自登记申请日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准;但无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起15年后不再受本条例保护,该期限同样不适用权利恢复。

变化五,侵权赔偿力度加大。赔偿数额按权利人实际损失或者侵权人获得的利益确定,难以确定的参照许可使用费的倍数合理确定;对故意侵犯且情节严重的,可以按照上述确定数额的1倍以上5倍以下确定赔偿,惩罚性赔偿由此入法。细则第四十一至四十三条还新增国知局可应请求处理侵权纠纷、就赔偿数额进行调解,审理范围按请求人主张的独创性部分确定。

变化六,流转规则补全。第十六条要求法人或非法人组织主持创作的,应当依照促进科技成果转化法对符合条件的人员给予合理奖励和报酬;第三十五条明确转让须书面合同并向国知局登记、自登记之日生效,许可须自合同生效起3个月内备案,出质须共同办理登记;第三十七条保留为评价分析研究教学而复制等三类不侵权情形。

上海芯片、光子、量子方向的企业可以做四件事:一是把流片前的版图归档与独创点清单做成流程,别等登记才回头找;二是商业化流片后盯紧2年登记期限,错过不可恢复;三是转让、许可、质押一律书面合同加登记备案,内部补上职务创作奖酬制度;四是申报高新技术企业时,布图设计专有权属Ⅰ类知识产权,登记证书是硬材料。具体尺度以官方正式文本为准。